Досліджено спектри поздовжньої фотопровідності та вольтамперні характеристики фотопольової електронної емісії багатошарових гетероструктур Ge/Si з квантовими точками (КТ) SiGe. Зображення верхнього шару, зроблені за допомогою атомно-силової мікроскопії, показали, що наноострівці мали форму тетраедральних пірамідок із розмірами 30 нм у підвалині та 2 нм висотою. Середня густина їх розподілу по поверхні підкладки складала близько 10<^>12 см<^>-2. Структури досліджено за допомогою спектроскопії фотоструму за температури 77 K у діапазоні hv від 0,29 до 1,0 еВ. Спостережено два піки поздовжнього фотоструму з максимумами за 0,32 і 0,34 еВ, які пояснено внутрішньозонними переходами між локалізованими станами у валентній зоні наноострівців. Спостережено пік струму на кривій I - V фотопольової електронної емісії з КТ, який пов'язано з резонансним тунелюванням електронів із валентної зони Si у вакуум через рівні квантування у КТ. Внутрішньозонні переходи з локалізованих станів у валентній зоні наноострівців Ge зумовлюють фотострум і фотопольову емісію електронів, спостережувані в гетероструктурах Si/Ge із КТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кондратенко Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Сергій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Шокалюк Світлана Вікторівна (педагогічні науки)
• Кондратенко Світлана Володимирівна (філософські науки)
• Вакуленко Олег Васильович (фізико-математичні науки)
• Вакуленко Олена Володимирівна (географічні науки)
• Вакуленко Олена Василівна (педагогічні науки)
• Вакуленко Ольга Вікторівна (фізико-математичні науки)
• Рубежанська Марія Юріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"