Кондратенко С. В. Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками / С. В. Кондратенко, О. В. Вакуленко, Ю. М. Козирев, М. Ю. Рубежанська, О. А. Дадикін, А. Г. Наумовець, С. Хофер, С. Тайхерт // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 4. - С. 381-388. - Бібліогр.: 25 назв. - укp.Досліджено спектри поздовжньої фотопровідності та вольтамперні характеристики фотопольової електронної емісії багатошарових гетероструктур Ge/Si з квантовими точками (КТ) SiGe. Зображення верхнього шару, зроблені за допомогою атомно-силової мікроскопії, показали, що наноострівці мали форму тетраедральних пірамідок із розмірами 30 нм у підвалині та 2 нм висотою. Середня густина їх розподілу по поверхні підкладки складала близько 10<^>12 см<^>-2. Структури досліджено за допомогою спектроскопії фотоструму за температури 77 K у діапазоні hv від 0,29 до 1,0 еВ. Спостережено два піки поздовжнього фотоструму з максимумами за 0,32 і 0,34 еВ, які пояснено внутрішньозонними переходами між локалізованими станами у валентній зоні наноострівців. Спостережено пік струму на кривій I - V фотопольової електронної емісії з КТ, який пов'язано з резонансним тунелюванням електронів із валентної зони Si у вакуум через рівні квантування у КТ. Внутрішньозонні переходи з локалізованих станів у валентній зоні наноострівців Ge зумовлюють фотострум і фотопольову емісію електронів, спостережувані в гетероструктурах Si/Ge із КТ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.4
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|