Шмырева А. Н. Фотоэлектрические свойства нанопористого кремния и оптоэлектронные сенсоры на его основе / А. Н. Шмырева, Н. Н. Мельниченко // Электроника и связь. - 2010. - № 1. - С. 17-24. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Определены основные закономерности формирования пленок нанопористого кремния и управления его структурными и электронными свойствами за счет изменения размеров нанокристаллов и пористости, что позволило создать новые типы сенсоров физических, химических и биологических величин. Используя изученные закономерности формирования пленок нанопористого кремния, были получены и апробированы поверхностно-барьерные фотоприемники коротковолнового излучения, обладающие высокой фоточувствительностью, которая на порядок превосходит чувствительность аналогичных пленок, селективные и чувствительные газоанализаторы на оксиды азота, углерода, пары органических веществ, сенсоры относительной влажности, а также биосенсоры для определения концентрации токсических веществ. Індекс рубрикатора НБУВ: З861 + В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|