Misiuk A. Defects in high temperature and high pressure processed Si:N revealed by deuterium plasma treatment = Дефекти в Si:N, обробленому при високих температурах і тисках, що виявляються внаслідок травлення в дейтерієвій плазмі / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, M. Prujszczyk, J. Bak-Misiuk, P. Formanek // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - 20, № 4. - С. 53-59. - Библиогр.: 4 назв. - англ.Розглянуто ефекти впливу обробки температурним відпалом (до 1400 К) і гідростатичним тиском (до 1,1 ГПa) на дефектний склад SOI-структур (silicon-on-insulator) на основі зразків Si:N - матеріалу, широко використовуваного в напівпровідникових технологіях. Одержано нові дані, що свідчать про утворення прихованих дефектовміщуючих шарів в зразках кремнію, імплантованого азотом, підданих обробці високими температурами та тиском. Такі структури стають центрами абсорбції дейтерію з плазми - його накопичення і розподіл усередині зразка залежать від мікроструктури матеріалу. Таким чином, показано, що обробка в дейтерієвій плазмі з подальшим визначенням концентраційних профілів по глибині зразка може бути корисною для оцінки мікроструктури Si:N-зразка, особливо зважаючи на потенційну застосовність в SOI-технологіях. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.32
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|