З'ясовано вплив хімічної модифікації активованого вуглецевого (АВ) матеріалу на його питому місткість із використанням методу імпедансної спектроскопії, циклічної вольт- і хроноамперометрії. Показано, що загальна місткість є сумою двох складових - місткості подвійного електричного шару (ПЕШ) і псевдомісткості, причому, внесок останньої є незначним (8 - 14 %). Легування рідкісноземельними металами та їх сполуками призводить до підвищення питомої місткости АВ. Імовірно, основною причиною такого зростання є трансформація валентної зони вуглецевого матеріалу за рахунок привнесення додаткових електронних станів від втілених матеріалів, в результаті чого значно більша кількість іонів (насамперед позитивних) буде брати участь у формуванні ПЕШ, а отже, й зумовлювати ріст питомої місткості.

• Остафійчук Богдан Костянтинович (1948–2024) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"