У квазікласичному наближенні проаналізовано вплив квантового тунелювання на струм акреції електронів плазми на від'ємно заряджену частинку, занурену в електронну плазму, для різних функцій розподілу електронів у плазмі, параметрів плазми та розмірів частинок. Показано, що внесок квантового тунелювання в зарядку частинок є нехтовно малим для відносно великих (мікронних розмірів) пилових частинок у плазмі з температурою електронів порядку декількох еВ, але стає значним для наночастинок (діаметром в десятки - сотні нм) у холодних та ультрахолодних плазмах із температурою електронів десятки - сотні градусів Кельвіна, особливо у плазмах з малозаселеним високоенергетичним хвостом розподілу електронів за енергією.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"