Розроблено технологічні режими рідинної епітаксії для росту тонких структурно досконалих гетеро-структур (ГС), що можуть слугувати базовими елементами у разі виготовленя приладів оптоелектроніки. Здійснено аналіз можливостей росту методом рідинної таксії (РЕ) тонких епітаксійних шарів (ЕШ) для далекого інфрачервоного (ІЧ) діапазону (18 - 30 мкм) вільних від дислокацій. Розроблено моделі різних етапів проведення рідинної епітаксії, що дозволяє запропонувати рекомендації щодо проведення процесів вирощування й оптимізації технологічних параметрів. Проведено експериментальну перевірку, яка їх підтвердила. Розроблено модель багатошарових структур, вільних від дислокацій невідповідності та технологію їх росту. Проведено легування ЕШ Pb _1-xSn _xTe _1-ySe _y перехідними металами (V, Cr або Mn) та встановлено технологічні режими росту якісних зразків і досліджено їх механічні й електрофізичні властивості. На основі вирощених структур сформовані гетеропереходи та досліджено їх властивості.

• Ковальов Юрій Григорович (1980–) (технічні науки)
• Ковальов Юрій Григорійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"