Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной <$E1,6~ cdot ~10 sup -13> Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков - более 4 МГц, ток потребления - не более 7 мА.

Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача за умов надходження на його вхід негативного заряду величиною <$E1,6~ cdot ~10 sup -13> Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі рахунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників - більше 4 МГц, струм споживання - не більше 7 мА.

There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of <$E1,6~ cdot ~10 sup -13> С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA.

• Сидоренко Віталій Пилипович (сільськогосподарські науки)
• Сидоренко Валентина Павлівна (1920–) (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"