Приведены результаты исследования особенностей формирования и структурных превращений в многослойном покрытии (МП) W5Si3/Si, синтезированном методом магнетронного распыления. МП W5Si3/Si выбрано для создания линейной зонной пластинки, рассчитанной на фокусирование рентгеновского излучения с энергией E больше 10 кэВ. Показано, что синтез МП сопровождается формированием сжимающих механических напряжений. Для снятия механических напряжений предложен термический отжиг покрытия и определена оптимальная температура отжига. Установлено, что отжиг при температуре выше 400 градусов по Цельсию сопровождается межслоевым взаимодействием, изменением соотношения толщин слоев, уменьшением периода. Сделано предположение о росте на межслоевых границах перемешанных зон, состав которых близок к WSi2 при отжиге выше 400 градусов по Цельсию. Показано, что после отжига при температуре 600 градусов по Цельсию начинается кристаллизация WSi2, а при температуре 650 градусов по Цельсию покрытие начинает отделяться от подложки.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.6-18 + В371.236 + В372.6

Рубрики:

Інші види покриттів металів

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Севрюкова Вікторія Анатоліївна (фізико-математичні науки)
• Кондратенко Валерій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"