Досліджено механізм виникнення чутливості надтонких плівок гетероструктур p(Pb1-xSnxSe) - n(CdSe) в дальній інфрачервоній (ІЧ) області спектра, який полягає в інжекції неосновних носіїв заряду з вузькозонного напівпровідника, що поглинає ІЧ-випромінювання, в широкозонний напівпровідник за участю механізму обмеження струму просторовим зарядом. Показано можливість створення неохолоджуваного власного фотоприймача в області <$E lambda~=~10> мкм на їх основі, виходячи з того, що інверсія зон спостерігається за температур 77, 195 і 300 <$E symbol Р>C і складів сполуки 0,19; 0,25 і 0,30 відповідно. Розроблено методику одержання полікристалічних злитків вузькозонної напівпровідникової сполуки Pb1-xSnxSe зі складом, чутливим в області <$E lambda~=~10> мкм за кімнатної температури. Розроблено конструкцію і технологію виготовлення плівкових двошарових фотогетерорезисторів на основі p - n-переходу p(Pb1-xSnxSe) - n(CdSe) з пороговою чутливістю PN = 10<^>-6 - 10<^>-7 Вт/Гц<^>1/2 та плівкового матричного неохолоджуваного фотоприймача, чутливого в області <$E lambda~=~10,6> мкм, з пороговою чутливістю елемента не гірше 10<^>-6 Вт/Гц<^>1/2.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Лепіх Ярослав Ілліч (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"