Виготовлено фоточутливі гетеропереходи n-TiO2/p-CdTe шляхом нанесення за допомогою методу реактивного магнетронного розпилення за постійної напруги тонких плівок TiO2 n-типу провідності на свіжосколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n-TiO2 і p-CdTe, а також досліджено їх електричні властивості. Сонячний елемент у випадку освітлення 100 мВт/см<^>2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,42.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Брус Віктор Васильович (1987–) (технічні науки)
• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
• Мар'янчук Павло Дмитрович (1956–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"