Проведено оцінку характеристик гетероструктур з одиночною квантовою ямою GaAs/InxGa1-xAs/GaAs з різними ростовими параметрами за результатами вимірювань низькотемпературних спектрів фотолюмінесценції (ФЛ), з відповідним теоретичним аналізом. Проаналізовано експериментально одержані температурні залежності енергії максимуму смуги ФЛ (<$E h nu sub roman max>), півширини (<$E W sub 0>) та інтенсивності I. Визначено параметри <$E E sub roman ph> (енергія локальних фононів), <$E E sub roman ex> (енергія зв'язку екситонів) і N (фактор Хуанга - Ріс). Проведене зіставлення одержаних значень <$E E sub roman ph>, <$E E sub roman ex> і NN

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.314.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Корбутяк Дмитро Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)
• Стрільчук Оксана Миколаївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"