Дружинін А. О. Вплив протонного опромінення на властивості легованих НК Si1-xGex p-типу / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, П. Г. Литовченко, Н. Т. Павловська, Ю. В. Павловський, Р. М. Корецький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 3. - С. 604-606. - Бібліогр.: 5 назв. - укp.Вивчено вплив протонного опромінення з енергією 6,8 МеВ і дозами до <$E 1~times~10 sup 17> р<^>+/см<^>-2 і відпалу за температур <$E 100~-~300~symbol Р roman C> на електропровідність ниткоподібних кристалів Si1-xGex (x = 0,03) з концентрацією домішок поблизу переходу метал - діелектрик в інтервалі температур 4,2 - 300 K у магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено, що опромінення дозою <$E 5~times~10 sup 15> р<^>+/см<^>-2 практично не змінює провідності кристалів, тоді як опромінення дозою <$E 1~times~10 sup 16> р<^>+/см<^>-2 і відпал призводить до істотного зменшення опору та зміни магнетоопору НК Si1-xGex в інтервалі температур 4,2 - 40 K. Одержані результати пояснено в межах аналізу стрибкової провідності по домішковій зоні у кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|