Borkovskaya L. V. About the nature of diffusion anisotropy in CdS crystals / L. V. Borkovskaya, B. R. Dzhumaev, L. Yu. Khomenkova, N. E. Korsunskaya, I. V. Markevich, M. K. Sheinkman // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 282-286. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.Досліджено електродифузію Міді в спеціально не леговані високоомні кристали CdS за 250 - 400 °С. Спостережено сильну анізотропію дифузії, за даних умов швидкість дифузії у перпендикулярному до с-осі напрямку більша ніж на порядок за дифузію в паралельному до с-осі напрямку. Доведено, що цей ефект не пов'язаний з більшою густиною дислокацій, перпендикулярних до с-осі порівняно з густиною дислокацій, паралельних до с-осі. Всловлено припущення, що електрично активні дислокації, які лежать в базовій площині, є каналами швидкої дифузії внаслідок їх сильного декорування власними дефектами та залишковими домішками. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|