Gorban A. P. Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p+-n-n+- and n+-p-p+-structures based on single-crystalline silicon / A. P. Gorban, A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, N. A. Prima // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 322-329. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Виконано теоретичне моделювання ефективності фотоперетворення в кремнієвих сонячних елементах за умов АМ0 з урахуванням екситонних ефектів. Разом із відомими ефектами, враховано випромінювальну та безвипромінювальну анігіляції екситонів, що проявляється як квадратична рекомбінація електронно-діркових пар. Доведено, що особливо великим є вплив безвипромінювальної анігіляції екситонів у p+-n-n+-структурах. У сонячних елементах на їх основі сумарний вплив усіх екситонних ефектів спричиняє зменшення гранично досяжної ефективності фотоперетворення на величину близько 10 %, водночас у n+-p-p+-структурах зменшення граничної ефективності фотоперетворення через екситонні ефекти становить біля 5 %, внаслідок чого їх гранична ефективність фотоперетворення є вищою, ніж у p+-n-n+-структурах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|