Методами температурних і електропольових залежностей поверхневої фотоелектрорушійної сили досліджено електронні властивості поверхні (100) n-кремнію після її термічного та хімічного окиснення, а також після вилучення оксидних плівок у HF. Методом температурної залежності виявлено два піки густини швидких поверхневих електронних станів (ПЕС), які містяться в забороненій зоні в ділянці проявлення P_b0^-- і P_b1^--центрів. Параметри систем ПЕС, визначені з електропольових залежностей, істотно відрізняються від визначених з температурних залежностей поверхневої фото-електрорушійної сили. Вони залежать від стану поверхні кремнію, його питомого опору та температури вимірювання. Це пов'язано з тим, що системи ПЕС, які перебувають в оксидних плівках і обмінюються електронами з кремніємза допомогою механізмів електропереносу, впливають на вимірювання електропольових залежностей поверхневої фотоелектрорушійної сили.

Методами температурных и электрополевых зависимостей поверхностной фото-электродвижущей силы исследованы электронные свойства поверхности (100) n-кремния после ее термического и химического окисления, а также после удаления оксидных пленок в HF. Методом температурной зависимости обнаружены два пика плотности быстрых поверхностных электронных состояний (ПЭС). Они расположены в запрещенной зоне в области проявления P_b0- и P_b1-центров. Параметры систем ПЭС, определенные из электрополевых зависимостей, существенно отличаются от таковых, определенных из температурных зависимостей поверхностной фото-электродвижущей силы. Они зависят от состояния поверхности кремния, его удельного сопротивления и температуры измерения. Это связано с тем, что системы ПЭС, находящиеся в оксидных пленках и обменивающиеся электронами с кремнием с помощью механизмов электропереноса, влияют на измерения электрополевых зависимостей поверхностной фото-ЭДС.

We used measurements of temperature and electric field dependencies of surface photovoltage to study electronic properties of (100) n-silicon surface after its thermal and chemical oxidation, as well as after oxide films removal in HF. Measurements ofsurface photovoltage vs temperature curves revealed two peaks of the fast surface electron states (SES) density. They lie in the gap in the region of P_b0- and P_b1-centers manifestation. The parameters of SES systems that were determined from the surface photovoltage vs electric field curves differ substantially from those determined from the temperature dependencies of surface photovoltage. They depend on the silicon surface condition, material resistivity and temperature at which the measurements were made. This is because the SES systems in oxide films (that exchange electrons with silicon via transport mechanisms) affect the measurements of electric field dependence of surface photovoltage.

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"