Kudin A. P. Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide / A. P. Kudin, V. I. Kuts, P. G. Litovchenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 156-158. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Вивчено спектральний розподіл фотопровідності вихідного та опроміненого gamma-квантами Со60 дифосфіду цинку тетрагональної модифікації. Вважається, що смуга h nu = 1,65 eВ відповідає нагромадженням дефектів, присутніх у вихідних зразках. Дефекти типу складних вакансій, що виникають під час високотемпературної обробки (400 °С), формують смугу h nu = 1,55 - 2,14 eВ. Опромінення призводить до зменшення темнового струму та виникнення рівня h nu = 1,55 eВ акцепторного типу, що відпалюється в інтервалі 20 - 100 °С. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.42 + К232.504.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|