Дослідження фотолюмінесценції (ФЛ) псевдоморфних модульовано легованих гетероструктур Al_xGa_1-xAs/In_yGa_1-yAs/GaAs з високою густиною електронів показують фундаментальні зміни в спектрі ФЛ у разі зростання густини збудження. Переважно високоенергетичний хвіст піка ФЛ зазнає принципової трансформації, спричиненої відштовхуванням особливості ферміївського краю (FES) та екситонних станів. Характер відштовхування критично залежить від густини збудження і температури. За низької температури вперше спостерігалось зародження FES у разі зростання густини збудження. Поява FES супроводжується утворенням крутого високоенергетичного краю і за інтенсивністю має місце набагато нижче прояву гібридизованого екситону, пов'язаного з підзоною п = 2. Спостерігається сильне екранування екситонного стану підзони п = 2 фотоносіями. Поведінка ФЛ у разі зростання густини збудження і температури поблизу краю Фермі пояснюється сильним впливом густини носіїв на прояв FES і приписується властивостям двовимірного електронного газу, що ще не досліджено теоретично.

• Жученко Зоряна Ярославівна (фізико-математичні науки)
• Тарасов Георгій Григорович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"