Neimash V. B. Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of an accelerated diffusion of oxygen in silicon / V. B. Neimash, O. O. Puzenko, A. M. Kraitchinskii, M. M. Kras'ko, S. Putselyk, C. Claeys, E. Simoen // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 1. - С. 11-14. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.Після попередньої термообробки за 800 °С кристалів кремнію енергія активації відпалу термодонорів зростає від 1,7 до 2,5 еВ. Припускається, що це відбувається внаслідок розчинення кисневих мікрофлуктуацій, які є джерелом внутрішніх пружних напружень. Можливе локальне прискорення дифузії в зоні дії таких напружень розглядається як причина зниження енергії активації дифузійно лімітованих процесів генерації та відпалу термодонорів у кремнієвих кристалах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|