Ilchuk A. Photopleochroism of surface-barrier structures of seminsulating cadmium telluride / A. Ilchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 349-351. - Бібліогр.: 3 назв. - англ.Розвинуто метод газотранспортних реакцій з використанням сполук NH4(Cl,Br,J) як транспортуючих агентів і вирощено монокристали напівізолюючого CdTe(Cl,Br,J), які можна застосовувати для детектування рентгенівського і gamma-випромінювань. У межах комплексного дослідження оптоелектронних властивостей вирощених монокристалів вивчено взаємодію лінійнополяризованного випромінювання з бар'єрами In - p - CdTe, виготовленими на цих монокристалах. З'ясовано, що у разі падіння лінійнополяризованого випромінювання на поверхню бар'єра під кутом падіння THETA > 0 ° в ньому виникає наведений фотоплеохроїзм, який зростає пропорційно квадрату кута падіння. Зроблено висновок про високу досконалість монокристалів, вирощених методом ХТР, та межі поділу бар'єрів, а також про перспективність використання одержаних структур як поляриметричних аналізаторів випромінювання. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.344 + В381.592
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|