Vakulenko O. V. Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon / O. V. Vakulenko, S. V. Kondratenko, B. K. Serdega // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 159-162. - Бібліогр.: 1 назв. - англ.Проведено дослідження спектральних залежностей фотомагнітного ефекту в структурах ПК/c-Si. Отримані результати пояснюються впливом поля просторового заряду гетеропереходу між широкозонним поруватим кремнієм та підкладкою c-Si n-типу. Форма спектра фотомагнітної ЕРС у довгохвильовій області свідчить про існування дрейфу нерівноважних носіїв заряду, які поглинаються у c-Si підкладці, в напрямку від межі поділу ПК/c-Si, тобто про існування у c-Si шару просторового заряду, збагаченого основними носіями. Відносно велика величина фотомагнітної ЕРС в області сильного поглинання поруватого кремнію свідчить про існування компоненти фотомагнітного ефекту, обумовленої матеріалом поруватого кремнію. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.275
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|