Запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння можливих механізмів утворення твердих розчинів на основі телуриду свинцю n-типу в системі PbTe - InTe. Показано, що експериментальні результати можна добре пояснити заповненням атомами індію <$E roman In sup +2 ~symbol Л~ roman In sub {1 over 2} sup +1 roman In sub { 1 over 2} sup +3> (до 3 мол. % InTe) октаедричних порожнин (ОП) щільної упаковки атомів телуру кристалічної гратки PbTe. У разі великого вмісту телуриду індію має місце розподіл <$E roman In sup +1> по ОП, а <$E roman In sup +3> по тетраедричних порожнинах відповідно.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.223

Рубрики:

Тверді розчини напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"