РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000394915<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Kaganovich E. B. 
Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Вивчено вплив надвисокочастотного (НВЧ) електромагнітного випромінювання на низькорозмірні структури кремнію. За допомогою методу імпульсної лазерної абляції одержано плівки нанокристалічного кремнію (nc-Si) на p-Si підкладці. Використовуючи атомно-силову мікроскопію, досліджено морфологію їх поверхні, проведено рентгенофазовий аналіз плівок і рентгенодифракційні вимірювання механічних напружень в одержаних структурах. Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) з розділенням за часом і температурні залежності фото-ерс на структурах nc-Si/p-Si і nc-Si/p-Si до та після їх опромінення помірним (1,5 <$E roman {Вт "/" см} sup 2>) НВЧ полем випромінювання магнетрона. Показано, що після НВЧ опромінення у всіх структур зменшуються фото-ерс у плівках nc-Si та концентрація пасток для електронів у плівках і на p-Si підкладках. Після опромінення nc-Si/p-Si структур зменшується також концентрація граничних електронних станів (ГЕС) і збільшуються інтенсивність і час релаксації ФЛ. Водночас опромінення nc-Si/p-Si структур, котрі до опромінення мали більші інтенсивності та часи релаксації ФЛ, зменшує ці величини, а також спричиняє деяке збільшення концентрації ГЕС. Більша питома потужність НВЧ поля (7,5 <$E roman {Вт "/" см} sup 2>) погіршує фотолюмінесцентні властивості, аж до повного зникнення ФЛ і в цьому разі ініціює структурні зміни в плівках, які з часом приводять до зменшення механічних напружень у досліджуваних структурах. Обговорено механізми впливу НВЧ поля на властивості досліджуваних структур.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського