Kaganovich E. B. Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.Вивчено вплив надвисокочастотного (НВЧ) електромагнітного випромінювання на низькорозмірні структури кремнію. За допомогою методу імпульсної лазерної абляції одержано плівки нанокристалічного кремнію (nc-Si) на p-Si підкладці. Використовуючи атомно-силову мікроскопію, досліджено морфологію їх поверхні, проведено рентгенофазовий аналіз плівок і рентгенодифракційні вимірювання механічних напружень в одержаних структурах. Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) з розділенням за часом і температурні залежності фото-ерс на структурах nc-Si/p-Si і nc-Si/p-Si до та після їх опромінення помірним (1,5 <$E roman {Вт "/" см} sup 2>) НВЧ полем випромінювання магнетрона. Показано, що після НВЧ опромінення у всіх структур зменшуються фото-ерс у плівках nc-Si та концентрація пасток для електронів у плівках і на p-Si підкладках. Після опромінення nc-Si/p-Si структур зменшується також концентрація граничних електронних станів (ГЕС) і збільшуються інтенсивність і час релаксації ФЛ. Водночас опромінення nc-Si/p-Si структур, котрі до опромінення мали більші інтенсивності та часи релаксації ФЛ, зменшує ці величини, а також спричиняє деяке збільшення концентрації ГЕС. Більша питома потужність НВЧ поля (7,5 <$E roman {Вт "/" см} sup 2>) погіршує фотолюмінесцентні властивості, аж до повного зникнення ФЛ і в цьому разі ініціює структурні зміни в плівках, які з часом приводять до зменшення механічних напружень у досліджуваних структурах. Обговорено механізми впливу НВЧ поля на властивості досліджуваних структур. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|