Sachenko A. V. Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures / A. V. Sachenko, A. P. Gorban, D. V. Korbutyak, V. P. Kostylyov, Yu. V. Kryuchenko, V. V. Chernenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 1-7. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.Проведено теоретичний аналіз ефективності крайової електролюмінесценції у кремнієвих діодах і p-i-n-структурах. Показано, що максимально можлива величина ефективності може досягати значень ~ 10 % як за кімнатної температури, так і за умов температури рідкого азоту. Встановлено, що максимальне значення ефективності обмежується міжзонною рекомбінацією Оже. Визначено, що ефективність електролюмінесценції швидко зменшується зі зменшенням характеристичного безвипромінювального часу життя неосновних носіїв Шоклі - Ріда - Холла. Показано, що навіть за кімнатних температур основний внесок у крайову електролюмінесценцію кремнієвих бар'єрних структур дають екситонні ефекти. Темнові вольтамперні характеристики прямозміщених кремнієвих діодів, виміряні як за кімнатної температури, так і за умов температури рідкого азоту, використано для пояснення аномальної температурної залежності електролюмінесценції кремнієвих діодів. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.31 + З851.122.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|