Зразки n-Si з питомим опором <$E 2,5~cdot~10 sup 3 ~roman {Ом~cdot~см}>, вирощені за допомогою методу безтигельної зонної плавки у вакуумі (FZ), в атмосфері аргону (Ar) і одержані за допомогою методу нейтронного трансмутаційного легування (NTD), досліджено до та після опромінення швидкими нейтронами реактора за умов кімнатної температури. Показано, що радіаційна стійкість n-Si визначається, у першу чергу, швидкістю введення кластерів дефектів та їх параметрами, а вже потім - швидкістю введення дефектів у провідну матрицю n-Si. Наявність атомів кисню, аргону та дефектів A-типу (дислокаційні петлі міжвузельного типу) в основному підвищує радіаційну стійкість n-Si. Ефективну концентрацію носіїв в опроміненому кремнії розраховано в модельному наближенні Госика з урахуванням перезарядження дефектів як у провідній матриці n-Si, так і в областях просторового заряду кластерів. Підвищеною радіаційною стійкістю володіє нейтронно-легований n-Si, вирощений за допомогою методу безтигельної зонної плавки в атмосфері аргону. Швидкість введення дивакансій у провідну матрицю цього кремнію в ~ 5 разів нижче, ніж у n-Si(FZ) і в ~ 2 рази нижче, ніж у n-Si(Ar). Передбачено, що наявність напруг деформаційних полів, які оточують домішку типу аргону, а також дефекти A-типу, сприяють анігіляції дивакансій з міжвузельними атомами кремнію.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"