Budzulyak S. I. Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals / S. I. Budzulyak, V. M. Ermakov, B. R. Kyjak, V. V. Kolomoets, V. F. Machulin, M. K. Novoselets, L. I. Panasjuk, B. B. Sus, E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 1. - С. 37-40. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.Досліджено явища транспорту для сильно деформованих кристалів кремнію та германію, легованих дрібними донорами до концентрацій, що значно перевищують критичну концентрацію переходу метал-ізолятор. Розглянуто можливі механізми деформаційно-індукованого переходу метал-ізолятор, структури зони провідності кремнію та германію для відповідних напрямів осі деформації. На основі аналізу експериментальних даних дослідження особливостей деформаційно-індукованого переходу в сильно легованих монокристалах кремнію та германію підтверджено головні положення теорії ефективної маси для воднеподібних домішок. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.312
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|