Vakulenko O. V. Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon / O. V. Vakulenko, S. V. Kondratenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 192-196. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.Виміряно спектри фотопровідності, фото-ЕРС і фотолюмінесценції структур поруватий кремній/c-Si підкладка. Показано, що форма спектрів фотопровідності та фото-ЕРС обумовлена головним чином об'ємними властивостями поруватого кремнію. Спостережено дві компоненти фото-ЕРС, які обумовлені матеріалом поруватого кремнію. У той же час, спостережено лише одну компоненту фотопровідності. Встановлено, що форма спектра фотопровідності залежить від величини напруги зміщення й відрізняється від форми спектра фото-ЕРС у короткохвильовій області спектра. Одержані результати пояснено в межах моделі, за якою поруватий кремній є композитною системою кремнієвих кристалітів, вмонтованих в аморфну матрицю кремнієвих сполук. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|