Наведено результати дослідження процесу запису голографічних дифракційних граток випромінюванням гелій-неонового лазера. Як реєструвальне середовище вибрано неорганічний фоторезист As40S20Se40, який використовувався з новим, розробленим для нього селективним протравлювачем. Виміряно кутову та спектральну залежності абсолютної величини дифракційної ефективності. Порівняно характеристики одержаних граток з відповідними параметрами граток, записаних на фоторезисті As40Se60. Проведено числове моделювання залежності форми штрихів голографічних граток від експериментальних умов їх виготовлення. Показано, що фоторезист на основі As40S20Se40 можна використовувати для виробництва високоякісних голографічних оптичних елементів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"