Проведено теоретичний аналіз механізмів розсіювання носіїв струму в електронних кристалах халькогенідів свинцю. Виконано розрахунок рухливості носіїв струму у широкому температурному (4,2 - 300 К) та концентраційному (<$E 10 sup 16 ~-~10 sup 20~ roman см sup -3>) діапазонах з урахуванням взаємодії електронів провідності з деформаційними потенціалами акустичних та оптичних фононів, поляризаційним потенціалом оптичних фононів, екранованим кулонівським і короткодіючим потенціалами вакансій. Показано, що узгодження теоретичних та експериментальних результатів має місце в разі комплексного врахування розсіювання носіїв як на фононах, так і на іонізованих вакансіях.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"