Вивчено оптичні й електричні властивості опромінених гамма-квантами зелених світлодіодів GaP. Виявлено довготривалі процеси релаксації емісійних властивостей, які пов'язані з дефектами темних ліній і дефектами темних плям. За низьких температур (77 - 110 K) на ВАХ діодів в області від'ємного диференціального опору виявлено тонку структуру. Опромінення структур гамма-променями призводить до розширення цієї дільниці. Аналогічне явище спостережено і на ВАХ оброблених ультразвуком діодів. Виникнення осциляцій струму можна пояснити існуванням глибоких рівнів у збідненій області p - n переходу, які, однак, розміщені досить далеко від переходу і тому не можуть бути виявлені за допомогою методу нестаціонарної спектроскопії глибоких рівнів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + З852.27

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Світлові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)
• Шапар Володимир Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"