Izhnin I. I. Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled <$E bold {p-{ roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te}> / I. I. Izhnin, V. V. Bogoboyashchyy, K. R. Kurbanov, K. D. Mynbaev, V. M. Ryabikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 1. - С. 53-59. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.Експериментально та теоретично досліджено залежність глибини конверсії типу провідності в твердих розчинах <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> (КРТ), підданих іонно-променевому травленню, від їх складу та температури обробки. Показано, що у випадку однорідних за складом кристалів КРТ така залежність визначається присутністю внутрішнього електричного поля, яке впливає на дифузію заряджених власних дефектів, що утворюються при травленні. Результати розрахунків впливу потенціалу p-n-переходу, який формується під час іонно-променевого травлення, на глибину конверсії добре узгоджуються як з оригінальними експериментами, так і з літературними даними. Одержані в роботі результати підтверджують справедливість дифузійної моделі утворення джерела надлишкової ртуті при іонно-променевому травленні КРТ, запропонованої авторами раніше. Дані, одержані в роботі, дозволяють з високою надійністю передбачати і контролювати глибину конверсії в кристалах і епітаксійних шарах КРТ, підданих іонно-променевому травленню з метою створення в них p-n-переходів. Остання обставина робить результати роботи актуальними для технології виготовлення фотоприймачів на основі КРТ. Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|