Експериментально та теоретично досліджено залежність глибини конверсії типу провідності в твердих розчинах <$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te> (КРТ), підданих іонно-променевому травленню, від їх складу та температури обробки. Показано, що у випадку однорідних за складом кристалів КРТ така залежність визначається присутністю внутрішнього електричного поля, яке впливає на дифузію заряджених власних дефектів, що утворюються при травленні. Результати розрахунків впливу потенціалу p-n-переходу, який формується під час іонно-променевого травлення, на глибину конверсії добре узгоджуються як з оригінальними експериментами, так і з літературними даними. Одержані в роботі результати підтверджують справедливість дифузійної моделі утворення джерела надлишкової ртуті при іонно-променевому травленні КРТ, запропонованої авторами раніше. Дані, одержані в роботі, дозволяють з високою надійністю передбачати і контролювати глибину конверсії в кристалах і епітаксійних шарах КРТ, підданих іонно-променевому травленню з метою створення в них p-n-переходів. Остання обставина робить результати роботи актуальними для технології виготовлення фотоприймачів на основі КРТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: К204.2

Рубрики:

Природа сплавів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"