За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифракції (ВРРД) досліджено 17-періодні In0,3Ga0,7As/GaAs структури з самоорганізованими квантовими нитками (КН), піддані швидкому термічному відпалу (ШТВ) (550 - 850 <$E symbol Р>C, 30 с). Показано, що в кристалічно досконалих структурах просторове впорядкування квантових ниток (латеральне і вертикальне) зумовлює квазіперіодичний розподіл деформацій, які істотно анізотропні по відношенню до кристалографічних напрямків типу <011>. За умов <$E T sub roman відп ~symbol Г~ 750~ symbol Р>С рушійним механізмом структурних перетворень є релаксація залишкових деформацій внаслідок термічно-активованих і деформаційно-підсилених процесів інтердифузії атомів In/Ga на межі поділу КН-2D шар, що не призводить до значної зміни концентрації індію в об'ємі в (In,Ga)As КН. Існування в досліджуваних зразках двох надграткових вертикальних періодів та їх зміну під час ШТВ пояснено анізотропним характером розподілу пружної деформації і пониженням симетрії структури. Виявлене збільшення латерального періоду (In,Ga)As КН при ШТВ є прямим доказом протікання процесів латерального масопереносу і може бути пояснено на основі моделі "зародження плюс деформаційно-підсилена латеральна інтердифузія атомів In/Ga". За низьких температур відпалу відбувається розчинення проміжних КН внаслідок інтердифузії, підсиленної залишковими анізотропними деформаціями. У разі високих температур ШТВ процес інтердифузії визначається переважно градієнтом компонентного складу між КН і 2D шаром.

• Стрельчук Віктор Васильович (фізико-математичні науки)
• Коломис Олександр Федорович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"