Kosyachenko L. A. Active region of CdTe X-/<$E bold gamma>-ray detector with Schottky diode / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 45-50. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.It has been shown from the Poisson equation that the presence of deep levels in the semiconductor bandgap influences in a complicated manner upon distribution of the space charge, potential and electrical fields in the Schottky diode. Under high reverse bias, however, the diode characteristics become standard. To achieve semi-insulating conductivity in CdTe, it is impossible to widen considerably the depleted layer in the diode. Therefore, the region of the high electric field is only a small part of the substrate thickness. Too small capacitance value and its weak dependence on the bias voltage observed in the Schottky diode made of semi-insulating CdTe are a result of the effect of the substrate resistance and the wide space-charge region in the diode. Індекс рубрикатора НБУВ: В381.592
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|