Measurements of temperature dependencies of excess tunnel current in heavily doped silicon p - n junction diodes at fixed values of the forward bias are carried out in liquid helium temperature region. In some voltage interval, these dependences are described well by the Mott's law for variable range hopping conductivity. Interpretation of these results is given which considers a p - n junction from nontraditional point of view, namely - as heavily doped and highly compensated semiconductor.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.225

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)
• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"