![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395366<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Lysiuk V. O. Influence of ion implantation on the near-surface structure of thin Ni and Pd films on lithium niobate and lithium tantalate / V. O. Lysiuk, V. S. Staschuk, M. I. Kluy, O. V. Vakulenko, L. V. Poperenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 76-80. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.The systems "thin Ni film - lithium niobate" and "thin Pd film - lithium tantalate" are implanted by <$E roman Ar sup +> ions with an energy of 100 keV and a dose of <$E 10 sup 16~roman cm sup -2>. Analyses of the systems by AFM and SEM have shown that the ion implantation essentially modifies the near-surface structure resulting in a change of its optical, electrical, and mechanical properties. Strong difference in the near-surface structures between implanted systems with Ni or Pd thin films is observed. Such a difference is explained by the heterogeneity of an ion beam and different properties of the materials. The application to the development of high-sensitive pyroelectric detectors with high damage threshold is proposed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + К663-18
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|