GaP LEDs irradiated by reactor neutrons were studied by optical and electrical methods. The observed emission intensity degradation is related with two factors: radiation fields that destroy bond excitons and decrease in the free charge carrier concentration, which is caused by their capture by radiation defects. Study of current-voltage characteristics at 77 K by highly precession methods has revealed the appearance of N-shaped negative differential region caused by carrier tunneling onto deep levels in quantum wells, which might exist in initial and irradiated p - n structures. In some cases, improvement of current-voltage characteristics after neutron irradiation is observed. An assumption is made about the radiation-stimulated origin of this effect.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Літовченко Петро Іванович (технічні науки)
• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"