A new analytical method of extraction of a diode series resistance from current-voltage characteristics is proposed which takes into account dependence of the series resistance on voltage (or current). The method supposes a presence of linear section in the diode current-voltage characteristic plotted in semi-logarithmic scale. This method is applied here to experimental data for silicon diode in which series resistance is caused by freezing-cut free current carriers into impurities at cryogenic temperatures. Character of dependence of the base resistance on electric field in the base layer determined in such way confirms hopping nature of silicon conduction under these conditions.

• Борблик Віталій Леонідович (фізико-математичні науки)
• Шварц Юрій Михайлович (фізико-математичні науки)
• Шварц Марина Михайлівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"