The peculiarities of buried layer formation obtained by co-implantation of O2 ions with the energy of 130 keV and carbon ions within the energy range of 30 - 50 keV have been investigated. The corresponding ion doses for carbon and oxygen ions were equal to <$E 2~times~10 sup 16> and <$E 1,8~times~10 sup 17~roman cm sup -2>, respectively. It has been observed that annealing at 1150 <$E symbol Р>C results in enhanced oxygen diffusion towards the region with a maximum carbon concentration. Analysis of X-ray diffraction patterns with a SIMS depth profiles inherent to annealed samples suggests formation of Si nanoclusters in the region with maximum concentrations of carbon and oxygen vacancies. The intensive luminescence has been observed with the maximum at 600 nm, which could be associated with silicon nano-inclusions in thin stoichiometric SiO2 layer.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Оберемок Олександр Степанович (фізико-математичні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)
• Попов Всеволод Геннадійович (фізико-математичні науки)
• Попов Валентин Георгійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"