Dolgolenko A. P. Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples / A. P. Dolgolenko, A. A. Druzhinin, A. Ya. Karpenko, S. I. Nichkalo, I. P. Ostrovsky, P. G. Litovchenko, A. P. Litovchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 456-460. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.p-SiGe whisker samples with a diameter of ~40 <$E mu roman m>, grown by chemical precipitation from the vapor phase, have been investigated. Temperature dependences of the thermal e.m.f. and conductivity within the temperature interval 20 - 400 К have been measured. It has been shown that the mobility of holes in p-SiGe whiskers upon the average is 1,5 times higher than that in bulk p-Si samples. p-SiGe whiskers possess smaller phonon scattering and larger phonon dragging in comparison with the bulk p-Si samples. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.35
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|