We consider the features of formation of Au - Ti - Pd ohmic contacts to <$E p sup +>-S. Metallization was made by vacuum thermal sputtering of Pd, Ti and Au films onto the Si substrate heated up to 330 <$E symbol Р>C. It is shown that the contact resistivity increases wil temperature; this is typical of metallic conductivity. We suggest that the ohmic contact formed owing to appearance of shunts at Pd deposition on dislocations or other structural defects. The number of shunts per unit area is close to the measured density of structural defects at the metal - Si interface.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"