High resolution X-ray diffractometry (HRXRD) was used to investigate InxGa1-xN/GaN multilayered structures grown by the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method. Deformation conditions in the superlattice (SL) and its separate layers, degree of relaxation in the structure layers, as well as the period of the SL, thicknesses of its layers and composition of InxGa1-x solid solution in active area were determined. It was found that SL was grown on the relaxed buffer layer. SL layers were grown practically coherent with slight relaxation of InGaN layer (about 1,5 %). The role of dislocations in relaxation processes was established. Analysis of experimental diffraction spectra in these multilayered structures within the frameworks of Parrat-Speriozu was adapted for hexagonal syngony structures.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)
• Мачулін Володимир Федорович (1950–2014) (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"