Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395735<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Aleinikov A. B. Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown / A. B. Aleinikov, V. A. Berezovets, V. L. Borblik, M. M. Shwarts, Yu. M. Shwarts // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 3. - С. 288-293. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.Effect of magnetic field (up to 14 T) on current-voltage characteristics of silicon n<^>+-p diodes which manifests hysteresis loops related with low-temperature impurity breakdown has been studied. With growth of magnetic field, the hysteresis loops are narrowed and decreased in amplitude and then disappear, but the breakdown continues in a soft form. Planar design of the diode has allowed separating the influence of magnetic field on mobility of the carriers executing impact ionization of the impurities and on the ionization energy itself. Theoretical analysis of the experimental data permitted us to determine the dependence of the ionization energy on the magnetic field. As in other investigated semiconductors, our results demonstrate the dependence of <^>B<^>1/3-type. A model capable to explain qualitatively the mechanism of suppression of the hysteresis loops by magnetic field is proposed as well. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|