Методом локального емпіричного псевдопотенціалу з урахуванням спін-орбітальної взаємодії, розраховано електронний енергетичний спектр InSb_{1 - х}Bi_х в наближенні віртуального кристала. Характерні відстані між енергетичними зонами у високосиметричних точках зони Бріллюена для бінарних сполук InSb та InBi задовільно співпадають з відомими експериментальними результатами. Температурну залежність було враховано методом Брукса-Ю. Задовільне співпадання енергетичного спектра InSb_{1 - х}Bi_х, температурної та концентраційної залежностей з експериментом досліджено за допомогою інтегральних співвідношень Крамерса-Кроніга оптичні функції epsilon₁ та epsilon₂ з урахуванням температури, а з них і коефіцієнт поглинання alpha для бінарних сполук InSb та InBi та для потрійного сплаву InSb_{1 - х}Bi_х. Результати добре співпадають з експериментальними в області фундаментального поглинання.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"