Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) від антимодульовано легованих надграткових структур GaAs, що містять тонкі шари InAs (1 - 2,5 моношару), вирощені на напівізолюючих підкладках GaAs з орієнтацією (001) за різних температур. Встановлено, що розподіл за розмірами квантових точок InAs, який має бімодальний характер за вищої температури підкладки під час вирощування (T_G = 505 °C), трансформується на мультимодальний за нижчої температури росту (T_G = 420 °C) і використання переривання росту. Вперше продемонстровано сильний зв'язок між квантовими точками, що належать до різних мод. Він стабілізує амплітуду та півширину лінії ФЛ для мод квантових точок із більшим індексом у межах певного температурного інтервалу (50 - 150 К). Це пов'язано з живленням випромінювальних переходів для цих мод безвипромінювальними переходами і перенесенням носіїв, спричинених розпадом екситонних станів мод квантових точок з малими індексами.

• Тарасов Георгій Григорович (фізико-математичні науки)
• Жученко Зоряна Ярославівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"