Фотолюмінесцентне дослідження псевдоморфних, сильно легованих гетероструктур Al_xGa_{1 - x} As/In_yGa_{1 - y}As/GaAs показує фундаментальні зміни в спектрі фотолюмінесценції (ФЛ) у разі зростання інтенсивності накачки і температури. Сильних змін зазнають високо- і низькоенергетичний хвости характерної лінії у спектрі ФЛ. Особливості високоенергетичного хвоста пов'язано з відштовхуванням між ферміївською сингулярністю (FES) і екситонними станами. Характер відштовхування залежить від густини збудження і/або температури. Вперше під час зростання густини збудження спостережено зародження лінії FES за низької температури. Поява FES супроводжувалася утворенням різкого високоенергетичного краю смуги ФЛ і проявлялася за інтенсивностей, набагато менших за інтенсивності, необхідні для спостереження лінії гібридизованого екситону підзони n = 2. Спостережено сильне екранування екситону підзони n = 2 фотозбудженими носіями, що приводить до рекомбінації "двовимірний електронний газ - важкі дірки" для другої електронної підзони. Характерні прояви багаточастинкових ефектів виявлено і в спектрах магнітолюмінесценції. Відповідний пік ФЛ розвивається в магнітному полі В = 7Т за низької температури (Т = 4,2 К) і спостерігається аж до Т approx 50 К. У низькоенергетичному хвості спектрів ФЛ у магнітному полі проявляються LO-фононні бічні смуги для вихідних переходів між рівнями Ландау.

Спостережено еволюцію вказаних фононних бічних смуг із температурою, а також із зростанням густини збудження. Зростаючу інтенсивність фононних бічних смуг приписано підсиленню фрьоліховської взаємодії, обумовленому фононними й інтерфейсними модами, модифікованими конфайнментом.

• Тарасов Георгій Григорович (фізико-математичні науки)
• Валах Михайло Якович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"