Находкін М. Г. Формування інтерфейсу Gd/Si(113) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2012. - Вип. 4. - С. 261-264. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей поверхні Si(113) у разі адсорбції на ній атомів Gd. Показано, що адсорбція атомів Gd на атомарно чисту поверхню Si(113)-<$E 3~times~2> за кімнатної температури призводить до зменшення її роботи виходу від 4,75 еВ для <$E THETA sub roman Gd> = 0 МШ до <$E symbol Ы~0,8> еВ для <$E THETA sub roman Gd~=~4,4> МШ. При подальшому збільшенні покриття робота виходу збільшується до <$E symbol Ы~1,2> еВ для <$E THETA sub roman Gd~symbol У~6> МШ, що супроводжується металізацією плівки Gd. Одержані результати пояснюються утворенням силіциду гадолінію та особливостями металізації плівки Gd за кімнатної температури. Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2 + Г123.575
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|