Кітик І. В. Вплив легуючих атомів хімічних елементів I, III і IV груп на деякі фізичні властивості монокристалів тетрарної сполуки AgGaGe3Se8 / І. В. Кітик, Г. Л. Мирончук, Г. Є. Давидюк, О. В. Якимчук, О. В. Парасюк, М. Хмель // Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки. - 2012. - № 3. - С. 8-18. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Досліджено електричні, оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів тетрарної фази AgGaGe3Se8, легованої атомами Cu, In, Si, Sn. Ця сполука - високоомний (10<^>-7 - 10<^>-10 Ом<^>-1см<^>-1, при <$E Т~symbol Ы~300> К) широкозонний напівпровідник (<$E E sub g ~symbol Ы~ 2,4> еВ) p-типу провідності з електричними, оптичними і фотоелектричними параметрами, які залежать від природи і концентрації легуючих домішок. Показано, що легування зразка AgGaGe3Se8 з 5 - 10 % концентрацією домішок веде до просвітлення кристала в області вікна пропускання світла (<$E h nu~<<~ 1,8> еВ). На основі запропонованої фізичної моделі, з врахуванням особливостей невпорядкованих систем, проведено інтерпретацію одержаних експериментальних результатів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69212 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|