Предложена уточненная модель полевого SOI МОП транзистора с частичным перекрытием затвора по 90 нм технологии, которая учитывает неквазистатические и внешние паразитные эффекты. Полученные Y-параметры модели до 20 ГГц хорошо совпадают с результатами расчета в 2D ATLAS (ошибка ~ 5 %), тогда как результаты квазистатической предикативной модели существенно отличаются (<$E >>~20> %). Рассчитанные граничная частота и максимальная частота колебаний равны ~ 108 и ~ 130 ГГц соответственно. Определен коэффициент шума <$E symbol Ы~2,8> дБ при <$E I sub roman DS~symbol Ы~0,64> мА, <$E V sub roman DS~=~1> В и <$E R sub roman ge~=~3> Ом. Малошумящий усилитель (МШУ) для работы в диапазоне 5,8 ГГц, рассчитанный с помощью предложенной модели, показал хорошее согласование входных (<$E S sub 11~symbol Ы~-15> дБ) и выходных (<$E S sub 22~symbol Ы~-16> дБ) характеристик, и коэффициента усиления <$E S sub 21~symbol Ы~15> дБ. Предложен коэффициент оценки качества МШУ FoMLNA, включающий коэффициент усиления мощности, коэффициент шума и потребление по постоянному току. Проведено сравнение различных МШУ при помощи FoMLNA и предложенной модели, которое показало практически трехкратное улучшение параметров рассмотренного усилителя.

Індекс рубрикатора НБУВ: З846.8-02 + З852.3

Рубрики:

Підсилювачі високої частоти

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"