Коваль В. М. Тонкоплiвковi сонячнi елементи на основi нанокристалiчного кремнiю / В. М. Коваль, О. В. Богдан, А. В. Іващук, Ю. І. Якименко // Наук. вісті НТУУ "КПІ". - 2012. - № 5. - С. 19-26. - Бібліогр.: 30 назв. - укp.Встановлено переваги та недолiки замiщення аморфного кремнiю нанокристалiчним у тонкоплiвкових сонячних елементах рiзної структури. Огляд вiтчизняних i свiтових джерел показав технологiчнi шляхи ефективної замiни аморфного матерiалу нанокристалiчним у кожнiй з трьох можливих конструкцiй фотоелектричних перетворювачiв: структурi з одним p - n-переходом, каскаднiй або багатошаровiй структурах та НIТ-структурi. Наведено конструктивно-технологiчнi особливостi тонкоплiвкових фотоелектричних перетворювачiв на основi нанокристалiчного кремнiю, враховуючи тип технологiчного шару, який замiщує цей матерiал (широкозонне вiкно, i-шар, базова область, буферний чи тунельний шар). Встановлено, що нова конструкцiя сонячних елементiв - НIТ-структура - є оптимальною з точки зору ефективностi перетворення сонячної енергiї, вартостi та технологiчної простоти реалiзацiї приладу, що надає змогу констатувати перспективнiсть цiєї нової структури фотоелектричних перетворювачiв для масового виробництва. Індекс рубрикатора НБУВ: З251.83
Шифр НБУВ: Ж16492 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|