Мережаный П. Г. Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора / П. Г. Мережаный, Л. Н. Павлов // Электроника и связь. - 2013. - № 3. - С. 9-13. - Библиогр.: 3 назв. - рус.Предложен алгоритм адаптации модели датчика насыщения вертикального n-p-n-транзистора, совмещенного с ним в единой структуре, к системе автоматизированного проектирования. Алгоритм подразумевает сведение результатов измерения реальных интегральных структур с результатами моделирования комплекса (выходной транзистор) + (транзистор - датчик). Выявлены критические параметры модели, и указано на необходимость усреднения погрешности модели из-за высокой чувствительности к коэффициентам неидеальности переходов транзисторов. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|