Исследован фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из n - Si (гетеропереход n - SiC/n - Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольтамперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры n - SiC/n - Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.

Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній гетероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокристалічні підкладинки з n - Si (гетероперехід n - SiC/n - Si). Плівки одержували методом прямого іонного осадження. Для пояснення особливостей вольтамперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n - SiC/n - Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон.

Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n - Si substrates (n - SiC/n - Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n - SiC/n - Si.

• Семенов Андрій Валерійович (медичні науки)
• Козловський Аркадій Олександрович (історичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"